Cools发布AI芯片玻璃基板新技术:可扩展至大面积玻璃中介层
公司将在水原会展中心的先进封装研讨会上公开玻璃通孔金属化方案


先进半导体封装技术企业Cools(쿨스)公开了面向AI芯片玻璃基板的玻璃通孔(TGV)金属化新技术。
Cools于8月19日表示,公司代表Cho Jin-hyun(조진현)将于8月27日在水原会展中心举行的"CPO与先进封装:AI半导体性能革新的核心"研讨会上发表演讲。
本次研讨会的主办方韩国电子组装产业协会(KPIA)是电子组装技术领域国际标准化组织IEC TC91的韩国国内干事机构和标准开发协作机构(COSD),由半导体封装与电子组装领域的企业和研究机构组成。
Cho代表此次演讲的主题为"面向面板级封装(PLP)大面积工艺的玻璃芯基板新技术",内容涉及下一代玻璃基板量产化的最大难题——TGV金属化与通孔填充。
TGV是垂直贯穿玻璃基板、连接上下层布线的微细孔。在高深宽比的TGV中,溅射方式难以在侧壁下部形成均匀薄膜;湿法化学镀方式则是先分散金属催化核再使其生长,可能留下未结合区域。
这些未结合区域会成为初期界面缺陷,在热循环或湿热环境下由此开始剥离。在一块大面积玻璃面板上形成数万至数十万个TGV的先进封装中,局部界面缺陷将决定整体良率和长期可靠性。
Cools以两项技术解决这一问题。
第一项是界面设计,即先将玻璃内壁整体转变为一个连续的亲金属功能界面。该方式不是先附着金属颗粒,而是先在通孔整体上形成无断点的可金属化界面。
第二项是自传播电极架构(SPEA,Self-Propagating Electrode Architecture)。SPEA只在通孔下部或特定区域设置固定电极,金属生长所到达的区域依次转变为电极。由此,填充从下部向上部依次进行,避免通孔上部先行封口或内部残留接缝、空隙的问题。
Cho代表表示:"玻璃芯基板与玻璃中介层在通孔尺寸和布线密度上不同,但制造原理相同。"他还说:"此次演讲要提出的不是单个通孔的电镀工艺,而是如何构建一个可以覆盖到PLP级大面积面板的TGV金属化平台。"
截至目前,Cools持有与玻璃基板封装相关的韩国特许厅专利申请118件,构建了涵盖玻璃—金属接合、连续功能性金属化界面、TGV种子层形成、金属离子存储型侧壁、SPEA、依次填充、大面积面板供电及再布线层等玻璃基板封装全工艺的知识产权组合。
Cools是一家开发先进半导体封装所需的界面、接合、金属化和热管理技术的技术企业,目前参与韩国企业银行创业支援项目"IBK创空"釜山中心第15期、韩国产业银行创业培育项目"KDB NextONE"釜山第5期等。
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